64-1472-99 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRLR3103TRPBF
[Infineon] IRLR3103TRPBF N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET30V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：55 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：24 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：107 W
- 長さ：6.73mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：830-3363
