64-1472-91 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 39 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRLR2908TRLPBF
[Infineon] IRLR2908TRLPBF N-Channel MOSFET, 39 A, 80 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET60→80V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：39 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：80 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：30 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：120 W
- 標準ターンオフ遅延時間：36 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5593
