64-1472-87 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 2.4 A 表面実装 パッケージMicro6 6 ピン IRLMS6702TRPBF
[Infineon] IRLMS6702TRPBF P-Channel MOSFET, 2.4 A, 20 V HEXFET, 6-Pin Micro6 Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET12→20V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：375 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：0.7V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：Micro6
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.7 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：5.8 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5821
