64-1472-85　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 2.4 A 表面実装 パッケージMicro6 6 ピン　IRLMS5703TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET30V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：2.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：325　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：Micro6
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：6
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.7　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5820