64-1472-82　Nチャンネル パワーMOSFET 6.5 A 表面実装 パッケージMicro6 6 ピン 1袋（30個入）　IRLMS2002TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET12→25V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（30個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：6.5　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：45　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.2V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：Micro6
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 標準ターンオフ遅延時間：36　ns
• RoHS適合状況：該当なし
• コード番号：830-3326