64-1456-83 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IPB019N06L3GATMA1
[Infineon] IPB019N06L3GATMA1 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOS3個のパワーMOSFET、60→80V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量xRDS（on）製品（FOM）超低オン抵抗RDS（on）鉛フリーめっき
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：250 W
- 標準ターンオフ遅延時間：131 ns
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：827-5293
