特徴
- InfineonCoolMOSCPパワーMOSFET
仕様
- 入数:1袋(5個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:17 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:550 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:199 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧:2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:139 W
- 1チップ当たりのエレメント数:1
- RoHS適合状況:対象外
- コード番号:827-5280
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





