64-1456-67 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IPB042N10N3GATMA1
[Infineon] IPB042N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOS3パワーMOSFET、100V以上
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：214 W
- 標準ターンオフ遅延時間：48 ns
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：827-5237
