64-1456-48　［取扱停止］NPN SiGe RFトランジスタ 高周波 表面実装 4.1 V 50 mA 4-Pin SOT-343 1袋（25個入）　BFP640ESDH6327XTSA1

特徴

• SiGeRFバイポーラトランジスタ、Infineon
• Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン（SiGe：C）素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。代表的な遷移周波数が最大65GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

仕様

• 入数：1袋（25個入）
• トランジスタタイプ：NPN
• 最大DCコレクタ電流：50　mA
• 最大コレクタ-　エミッタ間電圧：4.1　V
• パッケージタイプ：SOT-343
• 実装タイプ：表面実装
• 最大パワー消費：200　mW
• 最小DC電流ゲイン：110
• トランジスタ構成：シングル
• 最大コレクタ-ベース間電圧：4.8　V
• 最大エミッタ-ベース間電圧：0.5　V
• 最大動作周波数：45　GHz
• ピン数：4
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• 幅：1.25mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：827-5154