64-1456-33 Nチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（25個入） IPD30N08S2L21ATMA1
[Infineon] IPD30N08S2L21ATMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 75 V OptiMOS, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOSパワーMOSFETファミリ
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- Nチャンネル-強化モード車載AECQ101認定MSL1最大260°Cのピークリフロー175°Cの動作温度環境配慮製品（鉛フリー）超低Rds（on）
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：75 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：136 W
- 標準ターンオフ遅延時間：44 ns
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：827-5120
