64-1455-59　Pチャンネル パワーMOSFET 13 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2000個入）　IRFR5410TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（2000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：13　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：205　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：66　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-7941