64-1455-49 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 31 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRFR3410TRPBF
[Infineon] IRFR3410TRPBF N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET100V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（2000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：31 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：39 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：110 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5965
