64-1455-39 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 79 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRFR1018ETRPBF
[Infineon] IRFR1018ETRPBF N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- モータ制御/AC-DC同期整流MOSFET、Infineon
- モータ制御MOSFET
- Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル/PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。
- 同期整流MOSFET
- AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：79 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：8.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：110 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-4022
