64-1455-32 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン IRFL024NTRPBF
[Infineon] IRFL024NTRPBF N-Channel MOSFET, 4 A, 55 V HEXFET, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET55V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：75 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-3997
