64-1455-10 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF9328TRPBF
[Infineon] IRF9328TRPBF P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET30V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：19.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-3925
