64-1454-95 Nチャンネル パワーMOSFET 12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（10個入） IRF7855TRPBF
[Infineon] IRF7855TRPBF N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET60→80V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-3893
