64-1454-92　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 5.1 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF7815TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET150→600V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：5.1　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：150　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：43　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：5V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 標準ターンオフ遅延時間：14　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5713