64-1454-91 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 8.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7807TRPBF
[Infineon] IRF7807TRPBF N-Channel MOSFET, 8.3 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET30V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：25 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-3880
