64-1454-85 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 1.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7465TRPBF
[Infineon] IRF7465TRPBF N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET150→600V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-3861
