特徴
- InfineonSIPMOSRNチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1リール（250個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：110 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：240 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.8V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：360 mW
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：827-0070
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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