64-1452-41 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IPB80N06S4L07ATMA2
[Infineon] IPB80N06S4L07ATMA2 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V OptiMOS T2, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOST2パワーMOSFET
- Infineonの新しいOptiMOS-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。この新しいOptiMOS-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS-T及びOptiMOSの拡張ファミリです。OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
- Nチャンネル-強化モードAEC認定MSL1、最大260°Cピークのリフロー175°Cの動作温度環境配慮製品（RoHS対応）
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：79 W
- 標準ターンオフ遅延時間：50ns
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：165-5701
