特徴
- InfineonSIPMOSRNチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：660 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.8 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.8V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：911-0929
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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