64-1451-80 Pチャンネル 小信号 MOSFET 1.17 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（50個入） BSP315PH6327XTSA1
[Infineon] BSP315PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- InfineonSIPMOSRPチャンネルMOSFET
- InfineonSIPMOSR小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
- ・AECQ101適合（データシートを参照してください）・無鉛めっき、RoHS対応
仕様
- 入数：1袋（50個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：1.17 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：826-9238
