特徴
- InfineonSIPMOSRN＆PチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：2 A、3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：120 mΩ, 300 mΩ
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DSO
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：2 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：826-9207
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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