64-1451-69　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン　IPB029N06N3GE8187ATMA1

特徴

• InfineonOptiMOS3個のパワーMOSFET、60→80V
• OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
• 高速スイッチングMOSFET、SMPS用DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量xRDS（on）製品（FOM）超低オン抵抗RDS（on）鉛フリーめっき

仕様

• 入数：1リール（1000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：120　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.2　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：188　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：該当なし
• コード番号：165-5661