64-1451-35　Pチャンネル パワーMOSFET 9.7 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2500個入）　SPD09P06PLGBTMA1

特徴

• InfineonSIPMOSRPチャンネルMOSFET
• InfineonSIPMOSR小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・AECQ101適合（データシートを参照してください）・無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：9.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：400　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：42　W
• 標準ゲートチャージ　@　Vgs：14　nC　@　10　V
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：165-5947