64-1451-32　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 4.2 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン　SPD04P10PLGBTMA1

特徴

• InfineonSIPMOSRPチャンネルMOSFET
• InfineonSIPMOSR小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・AECQ101適合（データシートを参照してください）・無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1袋（50個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：4.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.05　Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：38　W
• 標準ゲートチャージ　@　Vgs：12　nC　@　10　V
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：826-9064