64-1450-89　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 11.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF7420TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET12→20V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：11.5　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：12　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：26　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：0.9V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-8　V,　+8　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• シリーズ：HEXFET
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5943