64-1450-76 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7328TRPBF
[Infineon] IRF7328TRPBF Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET30V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：32 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準ターンオン遅延時間：13 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：826-8885
