64-1450-73 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7324TRPBF
[Infineon] IRF7324TRPBF Dual P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET12→20V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.45V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 高さ：1.5mm
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：165-5708
