64-1450-59　［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 4.7 A、5.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF7307TRPBF

特徴

• デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：4.7　A、5.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：70　mΩ,　140　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 標準ターンオフ遅延時間：32　ns、51　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5937