64-1450-52 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 4.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（20個入） IRF7303TRPBF
[Infineon] IRF7303TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：4.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：80 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：826-8841
