64-1450-43　N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.3 A、3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（4000個入）　IRF7105TRPBF

特徴

• デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：2.3　A、3.5　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：25　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：160　mΩ,　400　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5912