64-1446-75 Nチャンネル パワーMOSFET 90 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（5個入） IPD90N03S4L02ATMA1
[Infineon] IPD90N03S4L02ATMA1 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V OptiMOS T2, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOST2パワーMOSFET
- Infineonの新しいOptiMOS-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。この新しいOptiMOS-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS-T及びOptiMOSの拡張ファミリです。OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
- Nチャンネル-強化モードAEC認定MSL1、最大260°Cピークのリフロー175°Cの動作温度環境配慮製品（RoHS対応）
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：90 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：136 W
- 標準ターンオフ遅延時間：62 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：825-9398
