64-1446-56 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 40 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン BSC252N10NSFGATMA1
[Infineon] BSC252N10NSFGATMA1 N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V OptiMOS 2, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- InfineonOptiMOS2パワーMOSFETファミリ
- InfineonのOptiMOS2Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。PowerMOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。OptiMOS2製品ファミリの範囲は20V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
仕様
- 入数:1リール(5000個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:40 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:25.2 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:4V
- 最低ゲートしきい値電圧:2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:TDSON
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:78 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:145-8820