64-1446-55 Pチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン 1袋（10個入） BSC060P03NS3EGATMA1
[Infineon] BSC060P03NS3EGATMA1 P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V OptiMOS P, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- InfineonOptiMOSPPチャンネルパワーMOSFET
- InfineonOptiMOSPチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。
- 強化モードアバランシェ定格スイッチングロスと導電損失が低い無鉛めっき、RoHS準拠標準パッケージOptiMOSPチャンネルシリーズ：-55→+175°Cの温度範囲
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9.6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：3.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：83 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：825-9266
