64-1446-42 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン BSC072N03LDGATMA1
[Infineon] BSC072N03LDGATMA1 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V OptiMOS 3, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- InfineonOptiMOS3パワーMOSFET、最大40V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量xRDS（on）製品（FOM）超低オン抵抗RDS（on）鉛フリーめっき
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：57 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6890
