特徴
- InfineonCoolMOSCPパワーMOSFET
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：550 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：900 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：83 W
- シリーズ：CoolMOS CP
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：825-9174
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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