64-1446-29 Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン 1セット(2500個入) IPD034N06N3GATMA1
[Infineon] IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- InfineonOptiMOS3個のパワーMOSFET、60→80V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量xRDS(on)製品(FOM)超低オン抵抗RDS(on)鉛フリーめっき
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:3.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:4V
- 最低ゲートしきい値電圧:2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:167 W
- トランジスタ素材:Si
- RoHS適合状況:対象外
- コード番号:145-9479