64-1446-28 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン BSC024NE2LSATMA1
[Infineon] BSC024NE2LSATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V OptiMOS, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- InfineonOptiMOSパワーMOSFETファミリ
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- Nチャンネル-強化モード車載AECQ101認定MSL1最大260°Cのピークリフロー175°Cの動作温度環境配慮製品(鉛フリー)超低Rds(on)
仕様
- 入数:1袋(20個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:3.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2V
- 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:TDSON
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:48 W
- 1チップ当たりのエレメント数:1
- RoHS適合状況:対象外
- コード番号:825-9165