64-1446-06 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン IPG20N04S4L11ATMA1
[Infineon] IPG20N04S4L11ATMA1 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V OptiMOS T2, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- InfineonOptiMOST2パワーMOSFET
- Infineonの新しいOptiMOS-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。この新しいOptiMOS-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS-T及びOptiMOSの拡張ファミリです。OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
- Nチャンネル-強化モードAEC認定MSL1、最大260°Cピークのリフロー175°Cの動作温度環境配慮製品（RoHS対応）
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：15.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：41 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：825-9106
