64-1434-39 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 7.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IPD65R600E6BTMA1
[Infineon] IPD65R600E6BTMA1 N-Channel MOSFET, 7.3 A, 700 V CoolMOS E6, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- InfineonCoolMOSE6/P6シリーズパワーMOSFET
- InfineonのCoolMOSE6及びP6シリーズのMOSFETです。これらのデバイスは非常に効率が高く、力率補正（PFC）、照明、コンシューマデバイスだけでなく、太陽発電、通信、サーバーなど各種の用途で使用できます。
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：700 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.4 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：63 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：23 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6869
