64-1426-03 ［取扱停止］N-MOSFET + PNP トランジスタ 表面実装 50 V 200 mA 6-Pin SOT-363 (SC-88) LMN200B02-7
[DiodesZetex] Diodes Inc LMN200B02-7 Dual NPN + PNP Transistor, 200 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363
特徴
- バイポーラPNP及びMOSFETトランジスタ、DiodesInc
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- トランジスタタイプ：NPN + PNP
- 最大DCコレクタ電流：200 mA
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧：50 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-88）
- 実装タイプ：表面実装
- 最大パワー消費：200 mW
- 最小DC電流ゲイン：250
- トランジスタ構成：N+P負荷スイッチ
- 最大コレクタ-ベース間電圧：-50 V
- 最大エミッタ-ベース間電圧：-5 V
- 最大動作周波数：200 MHz
- ピン数：6
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- 最大ベース-エミッタ間飽和電圧：-5.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：169-7397
