特徴
- PチャンネルMOSFET、8→20V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：4.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：82 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：MICRO、脚
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.8 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6345
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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