特徴
- NチャンネルMOSFET、8→25V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：10 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：45 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.35V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-5 V, +5 V
- パッケージタイプ：MICRO、脚
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.7 W
- 寸法：1.6 x 1.6 x 0.31mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6341
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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