64-1389-56 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212 8 ピン 1袋（10個入） SI7900AEDN-T1-GE3
[Vishay] SI7900AEDN-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：36 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：PowerPAK 1212
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：コモンドレイン
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.5 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：10.5 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：818-1416
