特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：36 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：PowerPAK 1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.5 W
- 標準ターンオフ遅延時間：8.6 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6339
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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