特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：24 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：24 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：PowerPAK 1212
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：23 W
- 寸法：3.15 x 3.15 x 1.07mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：818-1396
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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