特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：75 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TSSOP
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 mW
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6336
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|