64-1389-37 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 3 A、3.5 A 表面実装 パッケージ1206 ChipFET 8 ピン SI5513CDC-T1-GE3
[Vishay] SI5513CDC-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 3 A, 3.5 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3 A、3.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：85 mΩ, 255 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：1206 ChipFET
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6330
